Name: Rohm Semiconductor RGTH80TS65DGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RGTH80TS65DGC11
Price: 2.9139 USD
Availability: InStock
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Rohm Semiconductor RGTH80TS65DGC11

Artikelnummer:

RGTH80TS65DGC11

Hersteller / Marke:

LAPIS Technology

Teil der Beschreibung.:

IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N

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ROHS3 -konform

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$2.9139

Spezifikationen
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Versandinformationen
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~~Rohm Semiconductor RGTH80TS65DGC11 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RGTH80TS65DGC11.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	650 V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 40A
Testbedingung	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C	34ns/120ns
Schaltenergie	-
Supplier Device-Gehäuse	TO-247N
Serie	-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)	58 ns
Leistung - max	234 W
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Eingabetyp	Standard
IGBT-Typ	Trench Field Stop
Gate-Ladung	79 nC
Strom - Collector Pulsed (Icm)	160 A
Strom - Kollektor (Ic) (max)	70 A
Grundproduktnummer	RGTH80
RGTH80TS65DGC11 Einzelheiten PDF [English]	RGTH80TS65DGC11 PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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